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VDP-B系列 等离子去胶系统
产品先容

整机结构

前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元,前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计

等离子体源

射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源

反应腔室

标准设计为双反应腔室,可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构

机械传片

单臂或双臂高精度机械手

Wafer升降

机械式Wafer pin升降结构,Wafer pin采用特定工艺处理

真空泵

干式真空泵,根据安装位置及工艺不同,选择100-600m3/h规格。如工艺需求,可增加分子泵。

工艺压力控制

自动调压蝶阀

真空检测

管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计

工艺气体种类

标准配置ArN2O2,可增加CF4及其他工艺气体

气体流量控制

质量流量控制器(MFC

反应腔室温度范围

50 - 280

控制系统

基于工业电脑设计开发的人机交互系统,系统设计人性化、操作简单


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