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VAP系列 晶圆级等离子活化系统
产品先容

编号

内容

规格参数

备注

1

整机结构

load port系统分为前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元,前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计


2

等离子体源

射频等离子体源或双频等离子体源


3

反应腔室

标准设计为双反应腔室,可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构


4

机械传片

单臂或双臂高精度机械手


5

Wafer升降

机械式Wafer pin升降结构,Wafer pin采用特定工艺处理


6

前真空泵

干式真空泵,根据安装位置及工艺不同,选择100-300m3/h规格


7

高真空真空泵

分子泵(水冷或CDA冷却)


8

工艺压力控制

自动调压蝶阀


9

真空检测

管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计、压差开关


10

工艺气体种类

标准配置高纯Ar、N2、O2,可增加其他高纯工艺气体


设备主要应用:晶圆级封装前表面预处理晶圆级键合前表面活化光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面较小particle去除表面有机残留去除等。


设备主要特点:可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室,有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小,可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。

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